Producción Científica Profesorado

Propiedades sensoras de películas delgadas de SnO2 en una atmósfera de propano



Gonzalez Vidal, Jose Luis

2009

PROPIEDADES SENSORAS DE PELICULAS DELGADAS DE SnO2 EN UNA ATMOSFERA DE PROPANO, H. GOMEZ, J- L- GONZALEZ-VIDAL, OTONIEL CAN, JESSICA VERA-MONRROY, DAYANIRA TAPIA-MORENO Y M DE LA L. OLVERA. 3ER ENCUENTRO DE INVESTIGACION DEL CUERPO ACADEMICO DE CIENCIAS DE LA TIERRA Y MATERIALES, UNIVERSIDAD AUTONOMA DEL ESTADO DE HIDALGO, MINERAL DE LA REFORMA, HIDALGO, MEXICO, DICIEMBRE DE 2009. Preprinted


Abstract


Las propiedades de sensado de las películas delgadas de oxido de estaño (SnO2) sin impurificar en una atmosfera de propano (C3H8) como función de la tempratura de depósito y del espesor de la película han sido estudiadas en el presente trabajo. Las películas delgadas de SnO2 con diferentes espesores fueron depositadas sobre vidro a diferentes temperaturas de substrato, la técnica de depósito fue la de rocío químico. Como solución de precursor se uso el cloruro de estaño SnCl4-5H2O a una concentración de 0.2 M, y como solvente se uso el alcohol etílico. Las propiedades de sensado de las películas delgadas de SnO2 fueron medidas a diferentes concentraciones de propano (0, 5, 50, 100, 200, 300, 400 y 500 ppm) y a diferentes temperaturas de operación, 22, 100, 200 y 300c. El valor de sensitividad máxima fue del alrededor de 5.5, y fue obtenida en películas depositadas a una temperatura de depósito de 475C y a un espesor de película de 50 nm. De acuerdo a los espectros de rayos X las películas mas delgadas y depositadas a bajas temperaturas de depósito muestran una pobre calidad cristalina, sin embargo estas películas presentan las más altas propiedades de sensado.



Producto de Investigación UAEH




Artículos relacionados

Thermal model for a microhot plate used in a MEM gas sensor

Gas Microsensors Based on Semiconductor Thin Films of Zn0:Ga

Propiedades sensoras de películas delgadas de SnO2 en una atmósfera de propano

Analysis of the potential upon the floating gate of an FGMOSFET used as a gas sensor