EFECTO DE LA TEMPERATURA SOBRE LA VELOCIDAD DE LIXIVIACIÓN DE POLVO DE COBRE CONTENIDO EN CIRCUITOS IMPRESOS DE COMPUTADORAS EN MEDIO OXÍGENO-TIOSULFATO (O2-S2O32-)

Con base a su alta conductividad eléctrica el cobre es uno de los materiales básicos de la ingeniería eléctrica y tecnológica y además de los metales preciosos, el cobre presente en placas de circuitos impresos es el más interesante para su recuperación y posterior uso como materia prima debido a su valor económico y contenido relativamente alto en comparación con los minerales explotables; generalmente los desechos tanto eléctricos como electrónicos incluyen dentro de su estructura metales, los cuales se encuentran tanto en forma nativa y/o como aleaciones por lo que éstos pueden ser considerados como un posible recurso secundario comparado con los minerales. En el presente trabajo se aborda el estudio de la influencia de la temperatura sobre la velocidad de lixiviación del cobre contenido en circuitos impresos de computadoras previamente triturados y acotados a un determinado número de malla (30, 40, 50, 70 y 100) de acuerdo a la serie Tyler. A partir de la selección de la malla 50 se lleva a cabo el estudio cinético de lixiviación en medio O2-S2O32- (oxígeno-tiosulfato) en un rango de temperaturas estudiadas de 16C a 65C, encontrando que en este sistema bajo las siguientes condiciones de trabajo: temperatura de 65C, pH 10, 750 min-1, 5g de muestra y 180 minutos se obtienen hasta 7245 ppm de cobre en solución con una energía de activación de 15.00 kJ/mol.